北京当升申请固态电解质及其制备方法等专利具有较高的离子电导率
金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，北京当升材料科技股份有限公司申请一项名为“固态电解质及其制备方法、正极材料、电池和用电装置”的专利，公开号 CN 119069781 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请提供了固态电解质及其制备方法、正极材料、电池和用电装置，包括NASICON型固态电解质；所述固态电解质的X射线衍射谱图中，晶面沿012择优取向，(012)峰和(113)峰的峰强比I (0 1 2) /I (1 1 3) 为22％～25％，最强峰(113)峰的半峰宽F(113)为0.3°～0.6°。该固态电解质同时具有较高的离子电导率。